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CSD87312Q3E.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD87312Q3E.B
廠商型號

CSD87312Q3E.B

功能描述

Dual 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

絲印標識

87312E

封裝外殼

VSON

文件大小

536.83 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-23 18:35:00

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1FEATURES

? Common Source Connection

? Ultra Low Drain to Drain On-Resistance

? Space Saving SON 3.3 x 3.3mm Plastic

Package

? Optimized for 5V Gate Drive

? Low Thermal Resistance

? Avalanche Rated

? Pb Free Terminal Plating

? RoHS Compliant

? Halogen Free

APPLICATIONS

? Adaptor/USB Input Protection for Notebook

PCs and Tablets

DESCRIPTION

The CSD87312Q3E is a 30V common-source, dual

N-channel device designed for adaptor/USB input

protection. This SON 3.3 x 3.3mm device has low

drain to drain on-resistance that minimizes losses and

offers low component count for space constrained

multi-cell battery charging applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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