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CSD85302LT.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
CSD85302LT.B |
| 功能描述 | CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET? Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PICOSTAR |
| 文件大小 |
474.29 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TI2【德州儀器】 |
| 中文名稱 | 美國(guó)德州儀器公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-25 20:17:00 |
| 人工找貨 | CSD85302LT.B價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
CSD85302LT.B規(guī)格書詳情
1 Features
1? Common Drain Configuration
? Low On-Resistance
? Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
? Pb Free and Halogen Free
? RoHS Compliant
? ESD HBM Protection >2.5 kV
2 Applications
? USB Type-C/PD
? Battery Management
? Battery Protection
3 Description
This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual
NexFET? power MOSFET is designed to minimize
resistance in the smallest footprint. Its small footprint
and common drain configuration make the device
ideal for battery-powered applications in small
handheld devices.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
13+ |
VSON-8 |
15 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
NA/ |
5608 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
TI(德州儀器) |
24+/25+ |
10000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
22+ |
5000 |
詢價(jià) | |||||
TI |
16+ |
VSON |
10000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
TI |
22+ |
8-SON |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
2020 |
VSON-8 |
3300 |
絕對(duì)全新原裝現(xiàn)貨,歡迎來電查詢 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
24+ |
VSON-8 |
2500 |
原包原盤正品現(xiàn)貨 假一賠十 放心購(gòu)買 |
詢價(jià) | ||
TI |
2025+ |
VSON-8 FET |
16000 |
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨 |
詢價(jià) | ||
TI |
23+ |
NA |
6800 |
原裝正品,力挺實(shí)單 |
詢價(jià) |
