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CSD83325L

采用 LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的雙路、5.9mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 共漏極結(jié)構(gòu)\n? 低導(dǎo)通電阻\n? 2.2mm × 1.15mm 小外形封裝\n? 無鉛 \n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 柵極靜電 (ESD) 保護(hù);

此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 雙路 NexFET?功率 MOSFET 旨在以小外形封裝最大程度地降低電阻和柵極電荷。該器件的外形尺寸較小并采用共漏極配置，非常適合小型手持設(shè)備中 由電池供電的 應(yīng)用。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD83325L

12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD83325L

12 V Dual N-Channel NexFET??Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD83325L_16

12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD83325LT

12 V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

83325

ConductorPunch

MOLEX11Molex Electronics Ltd.

莫仕

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Dual Common Drain

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    5.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    52

  • QG typ (nC)：

    8.4

  • QGD typ (nC)：

    1.9

  • Package (mm)：

    LGA 2.2x1.2mm

  • VGS (V)：

    10

  • VGSTH typ (V)：

    0.95

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    8

  • ID - package limited (A)：

    8

  • Logic level：

    Yes

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更多CSD83325L供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 15:07:00

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