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CSD25211W1015

采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、33mΩ、-20V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低導(dǎo)通電阻 \n? 超低 Qg 和 Qgd \n? 小尺寸封裝 1.0mm x 1.5mm\n? 低高度（高度為 0.62mm）\n? 無鉛 \n? 柵 - 源電壓鉗位\n? 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù)-3kV\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素;

此器件設(shè)計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生盡可能低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。頂視圖 RθJA = 119°C/W，這是在厚度為 0.06 英寸的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板(PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司 銅過渡片上測得的典型值。脈寬 ≤ 10μs，占空比 ≤ 2%

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD25211W1015

P-Channel NexFET??Power MOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • VGS (V)：

    -6

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    33

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：

    44

  • Id peak (Max) (A)：

    -9.5

  • Id max cont (A)：

    -3.2

  • QG typ (nC)：

    3.4

  • QGD typ (nC)：

    0.2

  • QGS typ (nC)：

    1.1

  • VGSTH typ (V)：

    -0.8

  • Package (mm)：

    WLP 1.0x1.5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CSD25211W1015供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 15:08:00

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