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CSD23285F5

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、35mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 低導(dǎo)通電阻\n? 低 Qg和 Qgd\n? 超小尺寸 \n? 1.53mm x 0.77mm\n? 0.5mm 焊盤間距\n \n? 薄型 \n? 高度為 0.35mm\n \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護(hù)二極管 \n? 額定值 > 4kV 人體放電模式 (HBM) \n? 額定值 > 2kV 組件充電模式 (CDM)\n \n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn);

這款 29mΩ、–12V P 溝道 FemtoFET?MOSFET 技術(shù)經(jīng)過了設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠以最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的 封裝尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET 的同時(shí)大幅減小封裝尺寸。\n\n

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD23285F5

12-V, P-Channel FemtoFET MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD23285F5T

12-V, P-Channel FemtoFET MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • VGS (V)：

    -6

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    35

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：

    47

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：

    80

  • Id peak (Max) (A)：

    -31

  • Id max cont (A)：

    -3.3

  • QG typ (nC)：

    3.2

  • QGD typ (nC)：

    0.48

  • QGS typ (nC)：

    0.66

  • VGSTH typ (V)：

    -0.65

  • Package (mm)：

    LGA 1.5x0.8mm

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI/德州儀器
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TI(德州儀器)
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更多CSD23285F5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 10:37:00

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