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CSD22206WT.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD22206WT.B
廠商型號

CSD22206WT.B

功能描述

CSD22206W –8-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標(biāo)識

22206

封裝外殼

DSBGA

文件大小

478.42 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-25 22:59:00

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CSD22206WT.B規(guī)格書詳情

1 Features

1? Ultra-Low Resistance

? Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm

? Lead Free

? Gate ESD Protection

? RoHS Compliant

? Halogen Free

? Gate-Source Voltage Clamp

2 Applications

? Load Switch Applications

? Battery Management

? Battery Protection

3 Description

This –8-V, 4.7-mΩ, 1.5-mm × 1.5-mm device is

designed to deliver the lowest on resistance and gate

charge in the smallest outline possible with excellent

thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on

resistance coupled with the small footprint and low

profile make the device ideal for battery operated

space constrained applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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