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CSD19536KTT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD19536KTT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19536KTT

CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19536KTT_15

CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19536KTTT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

L-19536

SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TI
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更多CSD19536KTT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-23 14:02:00

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