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CSD19533Q5A

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、9.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩額定值\n? 無(wú)鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無(wú)鹵素\n? 小外形尺寸無(wú)引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝;

這款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。 頂視圖 要了解所有可用封裝，請(qǐng)見(jiàn)數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。 RθJA= 40°C/W，這是在一個(gè)厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹(shù)脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的銅過(guò)渡墊片上測(cè)得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W，持續(xù)時(shí)間 ≤100μs，占空比 ≤1%

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19533Q5A

100 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

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100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19533Q5A_16

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD19533Q5AT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    9.5

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    231

  • QG typ (nC)：

    27

  • QGD typ (nC)：

    4.9

  • Package (mm)：

    SON5x6

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    2.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    75

  • ID - package limited (A)：

    100

  • Logic level：

    No

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI
21+
VSONP8
3750
全新原裝公司現(xiàn)貨
詢價(jià)
TI
23+
VSONP-8
30000
全新原裝正品
 詢價(jià)
TI(德州儀器)
23+
N/A
12000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
TI/德州儀器
2152+
VSONP8
8000
原裝正品假一罰十
 詢價(jià)
TI/德州儀器
22+
N/V
986000
原裝現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電咨詢
 詢價(jià)
TI
23+
VSONP8
3700
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價(jià)
TI/德州儀器
22+
VSONP8
6000
原裝正品
 詢價(jià)
TI
23+
VSONP8
5000
全新原裝假一賠十
 詢價(jià)
TI
25+
VSONP8
6000
全新原裝現(xiàn)貨、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!
 詢價(jià)
TI/德州儀器
2021+
VSONP8
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
更多CSD19533Q5A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:49:00

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