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CSD19506KTT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD19506KTT

絲?。?strong>CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Pb-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?D2PAKPlasticPackage 2Applications ?SecondarySideSynchronousRectifier ?MotorControl 3Description This80-V,2.0-mΩ,D2PAK(TO-263)Nex

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19506KTT

采用 D2PAK 封裝的單路、2.3mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩級\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? D2PAK 塑料封裝;

這款 80V、2.0mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低 損耗。

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19506KTT

80 V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD19506KTT.B

絲?。?strong>CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Pb-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?D2PAKPlasticPackage 2Applications ?SecondarySideSynchronousRectifier ?MotorControl 3Description This80-V,2.0-mΩ,D2PAK(TO-263)Nex

TI2Texas Instruments

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CSD19506KTTT

絲?。?strong>CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Pb-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?D2PAKPlasticPackage 2Applications ?SecondarySideSynchronousRectifier ?MotorControl 3Description This80-V,2.0-mΩ,D2PAK(TO-263)Nex

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CSD19506KTTT.B

絲?。?strong>CSD19506KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD19506KTT 80 V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?LowThermalResistance ?AvalancheRated ?Pb-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?D2PAKPlasticPackage 2Applications ?SecondarySideSynchronousRectifier ?MotorControl 3Description This80-V,2.0-mΩ,D2PAK(TO-263)Nex

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80 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    2.3

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    400

  • QG typ (nC)：

    120

  • QGD typ (nC)：

    20

  • Package (mm)：

    D2PAK

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    2.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    291

  • ID - package limited (A)：

    200

  • Logic level：

    No

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CSD19506KTT供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 11:04:00

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