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CSD18540Q5B

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

CSD18540Q5B

絲印：CSD18540；Package：VSON-CLIP；CSD18540Q5B 60-V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?Low-ThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?DC-DCConversion ?SecondarySideSynchronousRectifier ?IsolatedConverterPrimarySideSwitc

TI2Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD18540Q5B

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、2.2mΩ、60V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩額定值\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝;

此 1.8mΩ、60V NexFET?功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中大大降低 損耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封裝。\n\n中的封裝尺寸拼寫錯(cuò)誤

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

CSD18540Q5B

60V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

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CSD18540Q5B.B

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd18540/marking.html">CSD18540；Package：VSON-CLIP；CSD18540Q5B 60-V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?Low-ThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?DC-DCConversion ?SecondarySideSynchronousRectifier ?IsolatedConverterPrimarySideSwitc

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CSD18540Q5BG4.B

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd18540/marking.html">CSD18540；Package：VSON-CLIP；CSD18540Q5B 60-V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?Low-ThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?DC-DCConversion ?SecondarySideSynchronousRectifier ?IsolatedConverterPrimarySideSwitc

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1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?Low-ThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?DC-DCConversion ?SecondarySideSynchronousRectifier ?IsolatedConverterPrimarySideSwitc

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絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/csd18540/marking.html">CSD18540；Package：VSON-CLIP；CSD18540Q5B 60-V, N-Channel NexFET? Power MOSFETs

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?Low-ThermalResistance ?AvalancheRated ?Lead-FreeTerminalPlating ?RoHSCompliant ?HalogenFree ?SON5-mm×6-mmPlasticPackage 2Applications ?DC-DCConversion ?SecondarySideSynchronousRectifier ?IsolatedConverterPrimarySideSwitc

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CSD18540Q5B_15

CSD18540Q5B 60V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD18540Q5B_16

60V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    3.3

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：

    2.2

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    400

  • QG typ (nC)：

    41

  • QGD typ (nC)：

    6.7

  • Package (mm)：

    SON5x6

  • VGS (V)：

    20

  • VGSTH typ (V)：

    1.9

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    221

  • ID - package limited (A)：

    100

  • Logic level：

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
TI/德州儀器
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更多CSD18540Q5B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 15:18:00

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