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CSD17311Q5中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD17311Q5
廠商型號

CSD17311Q5

功能描述

30V N-Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標(biāo)識

CSD17311

封裝外殼

VSON-CLIP

文件大小

428.78 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-17 22:59:00

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CSD17311Q5規(guī)格書詳情

1FEATURES

2? Optimized for 5V Gate Drive

? Ultra Low Qg and Qgd

? Low Thermal Resistance

? Avalanche Rated

? Pb Free Terminal Plating

? RoHS Compliant

? Halogen Free

? SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

APPLICATIONS

? Notebook Point-of-Load

? Point-of-Load Synchronous Buck in

Networking, Telecom and Computing Systems

DESCRIPTION

The NexFET? power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications

and optimized for 5V gate drive applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CSD17311Q5

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI/德州儀器
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