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CSD13306WT.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD13306WT.B
廠商型號

CSD13306WT.B

功能描述

CSD13306W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標識

13306

封裝外殼

DSBGA

文件大小

672.35 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-17 8:14:00

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CSD13306WT.B規(guī)格書詳情

1 Features

1? Ultra Low on Resistance

? Low Qg and Qgd

? Small Footprint 1 × 1.5 mm

? Low Profile 0.62 mm Height

? Pb Free

? RoHS Compliant

? Halogen Free

2 Applications

? Battery Management

? Load Switch

? Battery Protection

3 Description

This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to

deliver the lowest on resistance and gate charge in a

small 1 x 1.5 mm outline with excellent thermal

characteristics and an ultra low profile.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI(德州儀器)
24+
PICOSTAR3
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現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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