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CSD13302W

絲印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?UltraLowOnResistance ?LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62mmHeight ?PbFree ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD13302W

采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 14.6mΩ、12V N 通道器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的 1mm × 1mm 小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。; ? 超低導(dǎo)通電阻\n? 低 Qg 和 Qgd\n? 1mm x 1mm 小尺寸封裝\n? 低高度（高度為 0.62mm）\n? 無(wú)鉛\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無(wú)鹵素;

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI

CSD13302W

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

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德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI1

CSD13302W.B

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/302/marking.html">302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?UltraLowOnResistance ?LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62mmHeight ?PbFree ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD13302WT

絲印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?UltraLowOnResistance ?LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62mmHeight ?PbFree ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis

TI2Texas Instruments

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CSD13302WT.B

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/302/marking.html">302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?UltraLowOnResistance ?LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62mmHeight ?PbFree ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This14.6mΩ,12V,N-Channeldeviceis

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CSD13302W_15

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

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TI

CSD13302W_16

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

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TI1

CSD13302WT

CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET

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TI1

技術(shù)參數(shù)

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    17.1

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)：

    29

  • QG typ (nC)：

    6

  • QGD typ (nC)：

    2.1

  • Package (mm)：

    WLP 1.0x1.0

  • VGS (V)：

    10

  • VGSTH typ (V)：

    1

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：

    1.6

  • ID - package limited (A)：

    1.6

  • Logic level：

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
QFP100
6000
美國(guó)德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內(nèi)地現(xiàn)
 詢價(jià)
TI(德州儀器)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
8048
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫(kù)存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期
 詢價(jià)
TI(德州儀器)
24+
DSBGA-4
6824
只做原裝現(xiàn)貨假一罰十!價(jià)格最低!只賣(mài)原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TI
25+23+
DSBGA-4
44091
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價(jià)
TI
16+
DSBGA
10000
原裝正品
 詢價(jià)
TI
1501+
DSBGA-4
1545
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TI
24+
DSBGA-4
65200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢價(jià)
TI
1809+
4-BGA
6675
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
TI(德州儀器)
2021+
DSBGA-4
499
詢價(jià)
更多CSD13302W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 15:08:00

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