首頁 >CS12N60ANH>規(guī)格書列表
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SiliconN-ChannelPowerMOSFET Features： -FastSwitching -LowONResistance(Rdson≤0.75Ω) -LowGateCharge(TypicalData:40nC) -LowReversetransfercapacitances(Typical:10pF) -100SinglePulseavalancheenergyTest | HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS 華潤微電子華潤微電子有限公司 | HUAJING-MICRO | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET GeneralDescription DG12N60isanN-channelenhancementmodeMOSFET,whichisproducedusingDongguangMicro-electronics’s proprietary.Theself-alignedplanarprocessandimprovedterminaltechnologyreducetheconductionloss,improve switchingperformanceandenhancetheavalancheenergy.Th | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司 | WXDH | ||
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N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)0.75Ω ID12A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | EXCELLIANCE | ||
12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導體江蘇東海半導體股份有限公司 | WXDH | ||
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| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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