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CLF1G0035S-100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CLF1G0035S-100
廠商型號(hào)

CLF1G0035S-100

參數(shù)屬性

CLF1G0035S-100 封裝/外殼為SOT-1228B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

功能描述

Broadband RF power GaN HEMT
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

封裝外殼

SOT-1228B

文件大小

1.74588 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AMPLEON安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-24 22:59:00

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CLF1G0035S-100規(guī)格書詳情

CLF1G0035S-100屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的CLF1G0035S-100晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

CLF1G0035-100 and CLF1G0035S-100 are broadband general purpose 100 W

amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of

operation is from DC to 3.5 GHz.

Features and benefits

? Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz

? 100 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT

? Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)

? High voltage operation (50 V)

? Thermally enhanced package

Applications

? Commercial wireless infrastructure

(cellular, WiMAX)

? Industrial, scientific, medical

? Radar ? Jammers

? Broadband general purpose amplifier ? EMC testing

? Public mobile radios ? Defense application

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CLF1G0035S-100PU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    GaN HEMT

  • 頻率:

    3GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 輸出:

    100W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1228B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LDMOST

  • 描述:

    RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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