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CJU05N60B

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

CJU05N60B

Plastic-Encapsulate MOSFETS

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

DMS05N60

N-ChannelDepletion-ModeMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

FMC05N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機富士電機株式會社

FMC05N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多CJU05N60B供應商 更新時間2025-7-30 14:53:00