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CEB140N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEB140N10

N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP140N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

CEP140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■100V,137A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEWP140N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,150A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-3Ppackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

FIR140N10ANFG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR140N10PG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR140N10RG

N-ChannelEnhancementModePowerMosfet

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FQA140N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    100

  • Rds(on)mΩ@10V：

    7.5

  • ID(A)：

    137

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    231

  • RθJC(℃/W)：

    0.6

  • Pd(W)：

    208

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CET/華瑞
25+
DIP
156768
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
原廠代理 終端免費提供樣品
 詢價
CET/華瑞
2022+
TO-263
30000
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
國產(chǎn)
 詢價
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
 詢價
SR
23+
T0-263
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
CET(華瑞)
2447
TO-263
105000
10個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
 詢價
S
23+
T0-263
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
CET/華瑞
2407+
con
10750
只有原裝!量大可以訂!一片起賣!
 詢價
CET-MOS
10
詢價
更多CEB140N10供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 15:40:00

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