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BSP316P

絲?。?strong>BSP316P；Package：SOT223；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Application Load/PowerSwitching InterfacingSwitching LogicLevelShift

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

BSP316P

SIPMOS Small-Signal-Transistor

SIPMOS?Small-Signal-Transistor Feature ?P-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSP316P

20V-250V P-Channel Power MOSFET; ? 增強(qiáng)模式\n? 雪崩評(píng)級(jí)\n? 無鉛鍍層；符合 RoHS\n? 小信號(hào)封裝，經(jīng) AEC Q101 認(rèn)證\n\n優(yōu)勢(shì):\n;

英飛凌高度創(chuàng)新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。這些產(chǎn)品始終滿足電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵規(guī)范中的至高質(zhì)量和性能要求，例如導(dǎo)通電阻特性和品質(zhì)因數(shù)特性。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSP316P

SIPMOS Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSP316P

SIPMOS Small-Signal-Tran sistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSP316P_07

SIPMOS Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSP316P_16

SIPMOS Small-Signal-Tran sistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSP316PE6327

SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

技術(shù)參數(shù)

  • OPN：

    BSP316PH6327XTSA1

  • Qualification：

    Automotive

  • Package name：

    PG-SOT223-4

  • VDS max：

    -100 V

  • RDS (on) @10V max：

    1800 m?

  • QG typ @10V：

    -5.1 nC

  • Special Features：

    Small Power

  • Polarity：

    P

  • Operating Temperature min：

    -55 °C

  • VGS(th) min：

    -1 V

  • VGS(th) max：

    -2 V

  • Technology：

    SIPMOS?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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更多BSP316P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 11:40:00

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