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BSO207P

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS MOSFET, -20V, SO-8;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSO207P

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSO207P H

20V-250V P-Channel Power MOSFET; ? 增強(qiáng)模式\n? 正常電平、邏輯電平或超邏輯電平\n? 雪崩評(píng)級(jí)\n? 無鉛鍍層；符合 RoHS\n\n優(yōu)勢:\n;

英飛凌高度創(chuàng)新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。這些產(chǎn)品始終滿足電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵規(guī)范中的至高質(zhì)量和性能要求，例如導(dǎo)通電阻特性和品質(zhì)因數(shù)特性。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSO207PH

OptiMOS P-Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BU207

POWERTRANSISTORS(5.0A,1300-1500V,55W)

5.0AMPEREPOWERTRANSISTORS1300-1500VOLTS55WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

BU207

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BU207

BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3

SEME-LAB

Seme LAB

BU207

NPNPOWERTRANSISTORS

CDIL

Continental Device India Limited

BU207

HORIZONTALDEFLECTIONTRANSISTOR

5.0AMPEREPOWERTRANSISTORS1300-1500VOLTS55WATTS ...specificallydesignedforuseinlargescreencolordeflectioncircuits. FEATURES: *Collector-EmitterSustainingVoltage- VC6X=1300V(Min.)-BU207 =1500V(Win.)-BU208 *GlastivatedBase-CollectorJunction

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BVND-M207GT

EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric

ABBabb

ABB集團(tuán)ABB（中國）有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    SO-8

  • VDS?max：

    -20.0V

  • RDS (on)(@4.5V)?max：

    45.0m?

  • RDS (on)(@2.5V)?max：

    70.0m?

  • ID ?max：

    -5.7A

  • Ptot?max：

    1.6W

  • IDpuls?max：

    -22.8A

  • VGS(th)?min?max：

    -0.6V?-1.2V

  • QG?：

    -12.0nC?

  • Rth?：

    110.0K/W?

  • Ciss?：

    1100.0pF?

  • Coss?：

    380.0pF?

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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31518
原裝正品 可含稅交易
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INFINEON
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 詢價(jià)
更多BSO207P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:00:00

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