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BSD22中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BSD22
廠商型號

BSD22
功能描述

MOSFET N-channel depletion switching transistor
文件大小

39.79 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Philips Semiconductors
企業(yè)簡稱

PHI【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-6-22 9:11:00
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BSD22規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Symmetrical insulated-gate silicon MOS field-effect transistor of the n-channel depletion mode type.The transistor is sealed in a SOT143 envelope and features a low ON-resistance and low capacitances.The transistor is protected against excessive input voltages by integrated back-to-back diodes between gate and substrate.

Applications:

? analog and/or digital switch

? switch driver

? convertor

? chopper

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    BSD22

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    OptiMOS™

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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