BFR30LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BFR30LT1G |
| 參數(shù)屬性 | BFR30LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 功能描述 | JFET Amplifiers(N-Channel) |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
59.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-22 16:42:00 |
| 人工找貨 | BFR30LT1G價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BFR30LT1G規(guī)格書詳情
BFR30LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BFR30LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
JFET Amplifiers
N?Channel
Features
? Pb?Free Package is Available
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BFR30LT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
散裝
- FET 類型：
N 通道
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：
5pF @ 10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
JFET N-CH 225MW SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
22+ |
SOT23 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
6200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
CCSEMI/芯能圓 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
恩XP |
1701+ |
SOT-23 |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
ON |
2023+ |
TO92 |
8700 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
SOT-23-3(TO-236) |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
