BCW66G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BCW66G |
參數(shù)屬性 | BCW66G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 45V 1A SOT23-3 |
功能描述 | NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
134.58 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Siemens Semiconductor Group |
企業(yè)簡稱 |
SIEMENS【西門子】 |
中文名稱 | 德國西門子股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-6-23 10:31:00 |
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BCW66G規(guī)格書詳情
NPN Silicon AF Transistors
● For general AF applications
● High current gain
● Low collector-emitter saturation voltage
● Complementary types: BCW 67, BCW 68 (PNP)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BCW66G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
700mV @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
20nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 100mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 45V 1A SOT23-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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