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BC857CW

PNPgeneralpurposetransistors

FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BC857CWG

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

BC857CW-G

SmallSignalTransistor

Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

BC857CWQ

45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT323

Features ?BVCEO>-45V ?IC=-100mAHighCollectorCurrent ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847CWQ) ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?Halogen-andAntimony-Free.GreenDev

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

BC857CW-Q

45V,100mANPNgeneral-purposetransistors

Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?SMDplasticpackages ?Threedifferentgainselections ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package name：

    DFN1006B-3

  • Size (mm)：

    1 x 0.6 x 0.37

  • Polarity：

    PNP

  • Ptot (mW)：

    250

  • VCEO [max] (V)：

    -45

  • IC [max] (mA)：

    -100

  • hFE [min]：

    420

  • hFE [max]：

    800

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • fT [min] (MHz)：

    100

  • Automotive qualified：

    Y

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC857CMB供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:33:00

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