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BC847PN

ComplementarySurfaceMountGeneralPurposeSi-PlanarTransistors

Features TwocomplementarytransistorsinonepackageGeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847PN

Multi-ChipTransistor

FEATURE ?EpitaxialDieConstruction ?TwointernalisolatedNPN/PNPtransistorsinonepackage ?PowerDissipation PCM:0.2W(Temp.=25?C) ?CollectorCurrent ICM:0.1A ?Collector-baseVoltage V(BR)CBO:50/-50V ?Operating&StorageJunctionTemperature TJ,TSTG:

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BC847PN

COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialDieConstruction ?TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinonepackage ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ?GreenDevice(Notes3and4)

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

BC847PN

PNPandNPNSmallSignalTransistor200mW

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Halogenfreeavailableuponr

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BC847PN

NPN/PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

NPN/PNPSiliconAFTransistorArray ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNPTransistorsinonepackage

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BC847PN

SmallSurfaceMountTransistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●TwointernalisolatedNPN/PNPTransistors Inonepackage. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Idealforlowpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BC847PN

Plastic-EncapsulateTransistors

Features ●EpitaxialDieConstruction ●TwointernalisolatedNPN/PNPTransistorsin onepackage ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage MechanicalData ●Case:SOT-363,MoldedPlastic ●Casematerial-ULFlammabilityRating Classification94V-0 ●Moisturesensitivity:Level1perJ-ST

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

BC847PN

DUALTRANSISTOR(NPNPNP)

DUALTRANSISTOR(NPN+PNP) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●TwoisolatedNPN/PNP(BC847W+BC857W)Transistorsinonepackage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

BC847PN

COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

BC847PN

EpitaxialDieConstruction

Features EpitaxialDieConstruction TwointernalisolatedNPN/PNPTransistorsin onepackage Ultra-SmallSurfaceMountPackage

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC847CW-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-323

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MCC
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SOT-323
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Micro
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更多BC847CW-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 16:30:00

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