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BC847M

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNgeneralpurposetransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:BC857Mseries. FEATURES ?Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) ?Boardspace1.3×0.9mm ?PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS ?Generalpu

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC847PN

COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features ?EpitaxialDieConstruction ?TwoInternallyIsolatedNPN/PNPTransistorsinOnePackage ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevi

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

BC847PN

NPN/PNPSiliconAFTransistorArray

NPN/PNPSiliconAFTransistorArrays ?ForAFinputstageanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP transistorinonepackage ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847PN

COMPLEMENTARYPAIRSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

BC847PN

ComplementarySurfaceMountGeneralPurposeSi-PlanarTransistors

Features TwocomplementarytransistorsinonepackageGeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01

DiotecDiotec Semiconductor

德歐泰克

BC847PN

Multi-ChipTransistor

FEATURE ?EpitaxialDieConstruction ?TwointernalisolatedNPN/PNPtransistorsinonepackage ?PowerDissipation PCM:0.2W(Temp.=25?C) ?CollectorCurrent ICM:0.1A ?Collector-baseVoltage V(BR)CBO:50/-50V ?Operating&StorageJunctionTemperature TJ,TSTG:

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BC847C-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23

  • 描述：

    TRANS NPN 45V 0.1A SOT23

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BC847C-TP供應(yīng)商 更新時間2025-7-19 14:17:00

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