BC2302

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2302/marking.html">2302；Package：SOT23；Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description TheBC2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. DS(ON), Application Batteryprotection Loadswitch Uni

BC2302

場效應(yīng)晶體管;

BC2302D

Sub-1GHz 超外差 OOK RF 接收器; ? 頻率帶寬：\n ? BC2302C：315MHz，433MHz\n ? BC2302D：315MHz，433MHz，868MHz，915MHz\n? 工作電壓范圍：2.4V~5.5V\n? 0.5μA 的深度休眠電流，具有配置數(shù)據(jù)保留功能\n? 低 RX電流：\n ? 4.0mA @ 433MHz\n ? 5.5mA @ 868MHz\n? 良好的 RX靈敏度 ( 小于 0.1%BER )\n ? -112dBm @ 10Ksps，433MHz\n ? -111dBm @ 10Ksps，868MHz\n? RF輸入功率范圍寬：靈敏度 ~ +10dBm\n? 高達(dá) 40Ksps的符號率\n? 支持 2 線 I2C接口用于操作配置\n? 支持間歇性開啟 RX用于低功耗應(yīng)用\n? 封裝類型：8-pin SOP-EP;

BC2302C/BC2302D 采用一個完全內(nèi)置的超外差 OOK 接收器，具有自動增益控制(AGC) 和一個完全內(nèi)置的 OOK 解調(diào)器。合成器由集成的 VCO 和小數(shù) N PLL 組成，以其支持工作在 315MHz、433MHz、868MHz 和 915MHz 頻率帶寬。該系列芯片僅需要一個晶振和很小數(shù)量的無源組件即可實(shí)現(xiàn)為一個 OOK 接收器。該系列芯片具有高度的功能集成 , 其為低功耗的無線應(yīng)用提供了較佳的解決方案。該系列芯片實(shí)現(xiàn)了 433.92MHz 和 868MHz 帶寬下的靈敏度分別可達(dá) -108dBm 和 -107dBm。該系列芯片的工作電壓范圍為 2.4V~5.5V， 在 433.92MHz 和 868MHz 下典型的電流損耗分別為 4.0mA 和 5.5mA。靈活的 RSSI 閾值檢測機(jī)制可以進(jìn)一步減輕干擾信號對 OOK 接收器的影響。該系列芯片還支持間歇性 RX 模式，其中 RX 模式 On/Off 可由單片機(jī)控制，通過周期性地開啟 RX 模式操作，實(shí)現(xiàn)較低的平均功耗。該系列提供了兩種芯片。一個是BC2302C，其覆蓋了 315MHz 和 433MHz 頻率帶寬的應(yīng)用。另一個是 BC2302D，提供給有四個頻率帶寬的應(yīng)用。

BC2302ET

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/s2/marking.html">S2；Package：SOT-523；N-Channel MOSFET

Feature ?20VN-ChannelMOSFETHighDenseDesign. ?RDS(ON)=280m?(typ.)@VGS=4.5V ?RDS(ON)=360m?(typ.)@VGS=2.5V ?ReliableandRugged ?ESDProtected Applications ?PortableEquipmentandBatteryPowerSystems

BC2302W

絲印：2302；Package：SOT-323；Plastic-Encapsulate MOSFETS

FEATURE ?TrenchFETPowerMOSFET APPLICATIONS ?LoadSwitchforPortableDevices ?DC/DCConverter

BLM2302

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

BM2302

N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET

BU2302

CRtimer

BU2302F

CRtimer

CES2302

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■20V,3.0A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.