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AOB11S65

絲印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.399Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOB11S65

絲印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AOB11S65

650V 11A a MOS Power Transistor

GeneralDescription TheAOT11S65&AOB11S65&AOTF11S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOB11S65

高壓MOSFET (500V - 1000V);

650V 11A αMOS? Power Transistor\n

AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）

美國萬代美國萬代半導(dǎo)體

AOB11S65L

絲印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

AOB11S65L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andAC-DCapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO263

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

  • VDS (V)：

    650

  • VGS (±V)：

    30

  • ID @ 25°C (A)：

    11

  • PD @ 25°C (W)：

    198

  • 10V：

    399

  • Qg (10V)(nC)：

    13.20

  • VGS(th) max (V)：

    4

  • Ciss (pF)：

    646

  • Coss (pF)：

    42

  • Crss (pF)：

    1.10

  • Qgd (nC)：

    4.30

  • tD(on) (ns)：

    25

  • tD(off) (ns)：

    77

  • Trr (ns)：

    278

  • Qrr (nC)：

    4200

  • Qualification：

    Industrial

  • ESD Diode：

    No

  • Tj max (°C)：

    150

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AOB11S65供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 10:03:00

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