ADG1223

低電容、低電荷注入、±15 V/+12 V iCMOS?雙通道單刀單擲開關(guān); ? 電荷注入：小于0.5 pC（整個(gè)信號范圍內(nèi)）\n\n? 關(guān)斷電容：2 pF\n\n? 關(guān)斷泄漏：20 pA\n\n? 電源電壓范圍：33 V\n\n? 導(dǎo)通電阻：120 Ω;

ADG1221/ADG1222/ADG1223均為單芯片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件，內(nèi)置四個(gè)采用iCMOS（工業(yè)CMOS）工藝設(shè)計(jì)的獨(dú)立可選開關(guān)。iCMOS是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達(dá)33 V的各種高性能模擬IC，并實(shí)現(xiàn)以往的高壓器件所無法實(shí)現(xiàn)的尺寸。與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同，iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時(shí)還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。\n\n 這些開關(guān)具有超低電容和極低的電荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立時(shí)間的數(shù)據(jù)采集與采樣保持應(yīng)用的理想解決方案。圖2顯示，在器件的整個(gè)信號范圍內(nèi)電荷注入極小。\n\n ADG1221/ADG1222/ADG1223均內(nèi)置兩個(gè)獨(dú)立的單刀單擲(SPST)開關(guān)。ADG1221與ADG1222的唯一不同是數(shù)字控制邏輯相反。ADG1221開關(guān)的接通條件是相關(guān)控制輸入為邏輯1，而ADG1222則要求邏輯0。ADG1223有一個(gè)開關(guān)的數(shù)字控制邏輯與ADG1221相似，但另一個(gè)開關(guān)的控制邏輯則相反。ADG1223為先開后合式開關(guān)，適合多路復(fù)用器應(yīng)用。當(dāng)接通時(shí)，各開關(guān)在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。在斷開條件下，等于電源電壓的信號電平被阻止。 \n\n

ADG1223

Low Capacitance, Low Charge Injection, 15 V/12 V iCMOS Dual SPST Switches

ADG1223BRMZ

Low Capacitance, Low Charge Injection, 15 V/12 V iCMOS Dual SPST Switches

ADG1223BRMZ

Low Capacitance, Low Charge Injection, ?15 V/12 V iCMOS? Dual SPST Switches

ADG1223BRMZ1

Low Capacitance, Low Charge Injection, 15 V/12 V iCMOS Dual SPST Switches

ADG1223BRMZ-REEL7

Low Capacitance, Low Charge Injection, ?15 V/12 V iCMOS? Dual SPST Switches

ADG1223BRMZ-REEL71

Low Capacitance, Low Charge Injection, 15 V/12 V iCMOS Dual SPST Switches