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PMEG2010EPA-Q

Marking：A1；Package：SOT1061；20 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin anultrathinSOT1061leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmedium powercapability. 2.Featuresandbenefits ?AverageforwardcurrentIF

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMEG3010EP

Marking：A1；Package：CFP5；30 V, 1 A low VF Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A ?Reversevoltage:VR≤3

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMEG3010EP-Q

Marking：A1；Package：CFP5；30 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

1.Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegrated guardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD128smallandflatleadSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardc

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PTVS3V3S1UR

Marking：A1；Package：SOD123W；400 W Transient Voltage Suppressor

1.1Generaldescription 400WunidirectionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaSOD123Wsmallandflat leadlow-profileSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedfortransient overvoltageprotection. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications Powersupplyprotection Auto

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PTVS3V3S1UR-Q

Marking：A1；Package：SOD123W；400 W Transient Voltage Suppressor

1.Generaldescription 400WunidirectionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaSOD123Wsmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedfortransientovervoltageprotection. 2.Featuresandbenefits ?Ratedpeakpulsepower:PPPM=400W(350Wfor3V3) ?Reve

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

SMAJ3.3A

Marking：A1；Package：DO-214AC；3.3 To 440V 400W Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)

Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowleakage UniandBidirectionalunit Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability TypicalIRlessthan1μAabove10V 400WPeakpowercapabilityat10×1000μswaveformRepetition rate(d

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

UMA1N

Marking：A1；Package：SOT-353；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

Generalpurpose(dualdigitaltransistors) Features 1)TwoDTA124EchipsinaUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

UMA1N

Marking：A1；Package：SOT-353；General purpose (dual digital transistors)

Generalpurpose(dualdigitaltransistors) Features 1)TwoDTA124EchipsinaUMTorSMTpackage.

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

1N4001

Marking：A1；Package：SOD-123FL；Surface Mount General Purpose Silicon Rectifiers Reverse Voltage - 50 to 1000 V Forward Current - 1 A

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

1N4001-HF

Marking：A1；Package：DO-214AC；Rectifier Diodes

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A1

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 系列：

    A1

  • 包裝：

    帶

  • 頻率：

    1MHz ~ 600MHz

  • P1dB：

    -1dBm

  • 增益：

    16dB

  • 噪聲系數(shù)：

    2.4dB

  • 射頻類型：

    通用

  • 電壓 - 供電：

    15V

  • 電流 - 供電：

    9mA

  • 測(cè)試頻率：

    1MHz ~ 600MHz

  • 封裝/外殼：

    TO-8 形式，4 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-8

  • 描述：

    AMPLIFIER,CASCADABLE

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
WJ
24+
302
現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價(jià)
10
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,全新原裝
 詢價(jià)
WEITRON
23+
SOD-123
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
WJ
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
WJ
2023+
7
詢價(jià)
WJ
24+
SOT89
18560
假一賠十全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)供應(yīng)工廠客戶可放款
 詢價(jià)
VISHAY
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24000
現(xiàn)貨庫(kù)存
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SOT89
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
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SOT89
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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SC70-6
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原裝正品!實(shí)單價(jià)優(yōu)!
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更多A1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-22 8:30:00

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