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2SJ606-ZJ中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ606-ZJ
廠商型號

2SJ606-ZJ

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

213.9 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-25 14:09:00

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2SJ606-ZJ規(guī)格書詳情

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SJ606 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed

for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 15 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?42 A)

RDS(on)2 = 23 mΩ MAX. (VGS = ?4.0 V, ID = ?42 A)

? Low input capacitance:

Ciss = 4800 pF TYP. (VDS = ?10 V, VGS = 0 V)

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SJ606-ZJ

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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