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2SJ543-E

Silicon P Channel MOS FET

Description Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.042?typ. ?Lowdrivecurrent. ?4Vgatedrivedevices. ?Highspeedswitching.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ543

SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.042?typ. ?Lowdrivecurrent. ?4Vgatedrivedevices. ?Highspeedswitching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ543

SiliconPChannelMOSFET

Description Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.042?typ. ?Lowdrivecurrent. ?4Vgatedrivedevices. ?Highspeedswitching.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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RENESAS/瑞薩
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更多2SJ543-E供應(yīng)商 更新時間2025-7-5 11:00:00

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