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| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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MOSFieldEffectTransistors Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=0.95(VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50(VGS=-10V,ID=-1.0A) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
MOSFieldEffectTransistors | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
P-CHANNELMOSFETFORHIGH-SPEEDSWITCHING | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR P-CHANNELMOSFET FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SJ356isaP-channelMOSFETofaverticaltypeandis aswitchingelementthatcanbedirectlydrivenbytheoutputofan ICoperatingat5V. ThisproducthasalowONresistanceandsuperbswitching characteristicsandisidealfordriving | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
P-Channel60-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
P-CHANNELMOSFETFORSWITCHING | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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