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2SC3356SD

NPNSiliconRFTransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

2SC3356S-G

GeneralPurposeTransistor

Features -Lownoiseandhighgain. -Highpowergain. -Designedforlownoiseamplifier.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

2SC3356W

SiliconNPNtransistorinaSOT-323PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SC3356W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoiseandhighgain:NF=1.1dBTYP, Ga=11dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highpowergain:MAG=13dBTYP. @VCE=10V.IC=20mA,f=1.0GHz APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多2SC3356KB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-23 15:04:00

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