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2SB1567中文資料新澤西半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SB1567
廠商型號

2SB1567

功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor

文件大小

68.61 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-27 22:59:00

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2SB1567規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= -100V(Min)

·High DC Current Gain-: hFE= 1000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -1A)

·Complement to Type 2SD2398

APPLICATIONS

·Designed for high power switching applications.

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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