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2SAR583D3FRA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SAR583D3FRA
廠商型號(hào)

2SAR583D3FRA

參數(shù)屬性

2SAR583D3FRA 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO

功能描述

PNP -7A -50V Power Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

2SAR583D3

封裝外殼

TO-252 / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

1.636 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-19 22:59:00

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2SAR583D3FRA規(guī)格書詳情

Features

1) Suitable for Power Driver.

2) Complementary NPN Types : 2SCR583D3 FRA.

3) Low VCE(sat)

VCE(sat)=-400mV(Max.). (IC/IB=-3A/-150mA)

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SAR583D3FRATL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 150mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1mA,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    230MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ROHM(羅姆)
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