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2N7002T分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N7002T
廠商型號

2N7002T

參數(shù)屬性

2N7002T 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 60V SOT523

功能描述

Plastic-Encapsulated Transistors

文件大小

156.68 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Tokyo Electron Ltd.
企業(yè)簡稱

TEL東電電子

中文名稱

東京電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-21 20:00:00

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2N7002T規(guī)格書詳情

FEATURES

Power dissipation

PD: 0.15 W (Tamb=25℃)

Collector current

ID: 115 mA

Collector-base voltage

VDS: 60 V

Operating and storage junction temperature range

TJ,Tstg: -55℃ to +150℃

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N7002T-7-G

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 60V SOT523

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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