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2N7002PV中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N7002PV
廠商型號

2N7002PV

功能描述

60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET

絲印標識

ZF

封裝外殼

SOT666

文件大小

272.01 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-13 23:00:00

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2N7002PV規(guī)格書詳情

1. General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small SOT666

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic-level compatible

? Very fast switching

? Trench MOSFET technology

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side loadswitch

? Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N7002PV

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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