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2N7002BKM中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N7002BKM
廠商型號

2N7002BKM

功能描述

60 V, single N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

Z8

封裝外殼

SOT-883

文件大小

667.35 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 未知制造商
企業(yè)簡稱

恩XP

中文名稱

未知制造商

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-21 23:00:00

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2N7002BKM規(guī)格書詳情

General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Features and benefits

?Very fast switching

?Trench MOSFETtechnology

?ESD protection up to 2 kV

?Logic-level compatible

?Ultra thin package profile with 0.37 mm height

Applications

?Relay driver

?High-speed line driver

?Low-side loadswitch

?Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N7002BKM

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 450mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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