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PMDPB42UN

Marking：1L；Package：DFN2020-6；20 V, dual N-channel Trench MOSFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PMPB16XN

Marking：1L；Package：DFN2020MD-6；30 V, single N-channel Trench MOSFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

S-LBC848CLT3G

Marking：1L；Package：SOT-23；General Purpose Transistors NPN Silicon

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

BC848C

Marking：1Ls；Package：SOT-23；NPN Silicon AF Transistors

?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC848CW

Marking：1Ls；Package：SOT-323；NPN Silicon AF Transistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCV61C

Marking：1L*；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor

DESCRIPTION NPNdoubletransistorinaSOT143Bplasticpackage. PNPcomplement:BCV62. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.30V) ?Matchedpairs. APPLICATIONS ?Foruseinapplicationswheretheworkingpointmustbeindependentoftemperature ?

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BCV61C

Marking：1Lt；Package：SOT-143；NPN Silicon Double Transistor

NPNSiliconDoubleTransistor ?Tobeusedasacurrentmirror ?GoodthermalcouplingandVBEmatching ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCV61C

Marking：1LP；Package：SOT-143；NPN general purpose double transistor

■Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

BV1LD040EFJ-CE2

Marking：1LD040；Package：HTSOP-J8；Automotive IPD 1ch Low Side Switch with Output Diagnostic Function

Features ■Built-inDualTSD*1 ■AEC-Q100Qualified*2 ■Built-inOverCurrentProtectionFunction(OCP) ■Built-inActiveClampFunction ■DirectControlEnabledfromCMOSLogicIC,etc. ■OnResistanceRDS(ON)=40mΩ(Typ) (whenVIN=5V,IOUT=2.5A,Tj=25?C) ■MonolithicPowerMana

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BV1LD080EFJ-CE2

Marking：1LD080；Package：HTSOP-J8；Automotive IPD 1ch Low Side Switch with Output Diagnostic Function

Features ■Built-inDualTSD*1 ■AEC-Q100Qualified*2 ■Built-inOverCurrentProtectionFunction(OCP) ■Built-inActiveClampFunction ■DirectControlEnabledfromCMOSLogicIC,etc. ■OnResistanceRDS(ON)=80mΩ(Typ) (whenVIN=5V,IOUT=1.5A,Tj=25?C) ■MonolithicPowerMana

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    1L

  • 功能描述：

    信號(hào)調(diào)節(jié) 1.0-1.4GHz 150 Watt IL .3dB Iso 20dB

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    EPCOS

  • 產(chǎn)品：

    Duplexers

  • 頻率：

    782 MHz, 751 MHz

  • 阻抗：

    50 Ohms

  • 端接類型：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    2.5 mm x 2 mm

  • 工作溫度范圍：

    - 30 C to + 85 C

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多1L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-21 10:56:00

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