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032

型號：FDMA1032CZ；Package：MicroFET；20V Complementary PowerTrench MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

032N06N

型號：IPA032N06N3G；Package：PG-TO220-3-31；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. ?OptimizedtechnologyforDC/DCconverters ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

032N12L6

型號：ISC032N12LM6；Package：PG-TDSON-8FL；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,logiclevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

032N08NS

型號：PSMB032N08NS1；Package：TO-263；80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature: ?RDS(ON)Max,VGS@10V,ID@50A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

032N08NS

型號：PSMP032N08NS1；Package：TO-220AB-L；80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature: ?RDS(ON)Max,VGS@10V,ID@50A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

032N10N5

型號：IPB032N10N5；Package：PG-TO263-7；OptiMOS? 5 Power-Transistor, 100 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    032

  • 功能描述：

    MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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更多032供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 10:31:00

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